Global High Electron Mobility Transistor (HEMT) Marktgröße.

Global High Electron Mobility Transistor (HEMT) Market Insights Prognosen bis 2032

• Die Global High Electron Mobility Transistor Market Size wurde im Jahr 2022 auf USD 7.51 Billion geschätzt.
• Der Markt wächst mit einem CAGR von 8,4% von 2022 bis 2032
• Der weltweite High Electron Mobility Transistor Market soll bis 2032 USD 16.82 Milliarden erreichen
• Nordamerika wird voraussichtlich während der Prognosezeit am schnellsten wachsen

Der Global High Electron Mobility Transistor (HEMT) Marktgröße wird voraussichtlich bis 2032 USD 16,82 Milliarden erreichen, bei einem CAGR von 14,27% während der Prognosezeit 2022 bis 2032.

Der High Electron Mobility Transistor oder HEMT ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der ein extrem geringes Rauschverhältnis und einen sehr hohen Wirkungsgrad bei Mikrowellenfrequenzbereichen bietet. Aluminium Gallium Arsenide (AlGaAs) und Gallium Arsenide (GaAs) gehörten zu den am häufigsten verwendeten Materialien für die Herstellung von hochelektronischen Mobilitätstransistoren. Gallium Arsenide wird häufig verwendet, weil es größere Mobilitäten und Trägerdriftgeschwindigkeiten als Si-Material hat und ein hohes Maß an Grundleitfähigkeit ergibt. Hochelektronen-Mobilitätstransistoren, die bei Millimeter-Wellenlängen-Frequenzfrequenzen arbeiten können, werden in Hochfrequenz-Geräten eingesetzt, darunter Smartphones, Satelliten-TV-Empfänger, Leistungsumwandlungsgeräte und Radar-Detektionssysteme. Sie sind häufig in Mikrowellen-Empfängern, Low-Power-Verstärkern und der Luftfahrt- und Verteidigungsindustrie begegnet. Derzeit werden HEMTs typischerweise in Halbleiterbauelementen eingesetzt. Diese Monolithic Mikrowelle Integrated Circuit (MMIC) Chips werden häufig im HF-Design verwendet.

Zu den wichtigsten Akteuren des Global High Electron Mobility Transistor (HEMT) Market gehören die Intel Corporation, Mitsubishi, ROHM, NXP Semiconductor N.V., Infineon, ST Microelectronics, Qorvo, Renesas Electronics und Microsemi. Spieler in der Branche setzen eine Vielzahl von Strategien ein, darunter Produktstarts, Partnerschaften, Joint Ventures und Akquisitionen, um ihren Marktanteil im High Electron Mobility Transistor (HEMT) Markt zu erhöhen.

So kündigte ROHM Semiconductor im Mai 2023 die Massenproduktion von 650V GaN (Gallium Nitride) HEMTs GNP1070TC-Z und BNP1150TCA-Z an. Diese Geräte wurden auf eine Vielzahl von Anwendungen in Stromversorgungssystemen zugeschnitten. Gemeinsam haben Delta Electronics, Inc. und Ancora Semiconductors, Inc., eine Tochtergesellschaft, die GaN-Geräte schafft, diese innovativen Produkte entwickelt. Ein Haupthindernis, eine dekarbonisierte Zivilisation zu etablieren, erhöht die Effizienz von Energiequellen und Motoren, die die Mehrheit der Weltstrom verbrauchen. Die Einführung neuer Materialien wie GaN und SiC ist für die Effizienzsteigerung der Stromversorgung unerlässlich.

Antriebsfaktoren

Die steigende Nachfrage nach kostengünstigen Leistungssystemen sowie die steigende Nachfrage nach Verbraucherelektronik gehören zu den Haupttrends, die eine hohe Expansion des Elektronmobilitätstransistors antreiben. Angesichts der Vorteile, die es über alternative Materialien wie GaAs und SiC bietet, wird das GaN-Hoch-Elektronen-Mobilitätstransistorsegment einen erheblichen Anteil des weltweiten Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistor-Marktes während der gesamten Prognose halten.

Aus den Anfangsstufen hat die enorme Anzahl von Potentialverwendungen für diese Halbleiter das extrem schnelle Wachstum dieser Transistoren ausgelöst. Durch die Annahme von Galliumnitrid (GaN) HEMT-Geräten in Elektrofahrzeugen, Zugmaschinen, Stromverteilung und anderen Anwendungen, die eine Hochspannungs- und Hochfrequenzschaltung benötigen, wird der Preis der Erfassung solcher zuverlässiger und kostengünstiger Transistoren, die in der Leistungselektronik erforderlich sind, minimiert. Darüber hinaus dürfte die wachsende Nachfrage nach innovativen hochelektronischen Mobilitätstransistortechnologien in der Luftfahrt- und Militärindustrie sowie in der Automobilindustrie Wachstumschancen für den globalen Hochelektronenmobilitätstransistormarkt bieten.

Die meisten Halbleiter-Gerätehersteller weltweit produzieren hohe Elektronenmobilitätstransistoren. Sie können diskrete Transistoren sein, aber sie sind derzeit häufiger in integrierten Schaltungen enthalten. Diese Monolithic Mikrowelle Integrated Circuit (MMIC) Chips werden häufig für HF-Design-Anwendungen verwendet, und MMICs auf Basis hoher Elektronenmobilitätstransistoren werden häufig verwendet, um den erforderlichen Leistungsgrad in vielen Sektoren zu geben. Zu den Haupttreibern, die zum globalen Hochelektronenmobilitäts-Transistor-Marktwachstum beitragen, gehören außerdem erhöhte HEMT-Geräteausgaben und Wachstum und Entwicklung sowie erhöhte technologische Verbesserungen im Hochelektronenmobilitäts-Transistorsektor.

Umschulungsfaktoren

Das Fehlen herkömmlicher Verfahren zur Herstellung und Entwicklung von HEMT-Transistorgeräten wird jedoch erwartet, dass das Wachstum des Hochelektronenmobilitätstransistormarktes stymie wird. Darüber hinaus bleibt die Leistung von GAN HEMTs und die Kosten von mikrowellenintegrierten Schaltungen eine Herausforderung bei der Marktakzeptanz. Darüber hinaus ist die Temperaturwirkung bei der Förderung von GAN HEMT-Verlust ungelöst und die erhöhte Intensität von Verschlechterungsvariablen ist ebenfalls unexploriert.

Marktsegmentierung

Nach Typ Insights

Das Segment Gallium Nitride (GaN) dominiert den Markt mit dem größten Umsatzanteil im Prognosezeitraum.

Auf Basis des Typs wird der globale Hochelektronenmobilitätstransistormarkt in die Gallium Nitride (GaN), Silicon Carbide (SiC), Gallium Arsenide (GaAs) und andere segmentiert. Unter diesen dominiert das Segment Gallium Nitride (GaN) den Markt mit dem größten Umsatzanteil von 48,6% im Prognosezeitraum. Im Gegensatz zu bestehenden Technologien wie Silikon (SI) oder Gallium Arsenide (GaAs) sind die aufregendsten HEMT-Geräte derzeit von Gallium Nitride (GaN) abhängig, einem Material, das qualitativ hochwertige, hohe Leistungsdichte und ausgezeichnete breite Übertragung bietet. GaN ist auch für eine breite Palette von Elektronikanwendungen aufgrund seiner ausgezeichneten Elektronentransport und elektrischen Eigenschaften gesucht. AlGaN / GaN HEMTs haben aufgrund ihrer bemerkenswerten Leistung in High-Power- und Millimeter-Wellenband-Anwendungen einen erheblichen Teil der Aufmerksamkeit unter mehreren GaN-basierten elektronischen Komponenten erfasst.

Von End-Users Insights

Das Segment Consumer Electronics entfiel auf den größten Umsatzanteil von über 36,2% im Prognosezeitraum.

Auf der Basis von Endverwendungen wird der weltweite Hochelektronenmobilitätstransistormarkt in Unterhaltungselektronik, Automotive, Industrie, Luft- und Raumfahrt & Verteidigung und andere segmentiert. Unter diesen dominiert das Segment Consumer Electronics den Markt mit dem größten Umsatzanteil von 36,2% im Prognosezeitraum. Aufgrund ihrer besseren großfrequenten, geräuscharmen und breitbandigen Anwendungen werden in der Unterhaltungselektronik hochelektronische Mobilitätstransistorhalbleiter eingesetzt. HEMTs sind die besten Geräte zur Verstärkung, Schwingung und Erzeugung von Hochfrequenzsignalen (RF). Galliumarsenid (GA) elektronische Bauelemente, die eine höhere Elektronenbeweglichkeit als Siliziummaterialien für Halbleiter aufweisen, werden in der überwiegenden Mehrzahl von hochelektronischen Mobilitätstransistoren eingesetzt. Darüber hinaus gewinnen im industriellen Endverbrauchermarkt hohe Elektronenmobilitätstransistoren an Popularität für Signalverstärkung in industriellen Anwendungen. Diese sind bei der elektrischen Stromverteilung sehr hilfreich, da sie eine effektive Übertragung von Hochspannungsstrom über große Entfernungen ermöglichen, wodurch Energieverlust und Kosten reduziert werden.

Regionale Einblicke

Nordamerika hat im vorausgesagten Zeitraum einen beherrschenden Marktanteil am Hochelektronenmobilitätstransistormarkt.

Nordamerika dominiert über 38,7% des Hochelektronenmobilitätstransistors über den vorhergesagten Zeitraum. Diese Marktherrschaft kann auf ihre weit verbreiteten Anwendungen in Industrien wie Verbraucherelektronik, Flugzeuge, Autos und andere zurückzuführen sein. Die Erweiterung dieser Vertikalen fördert das Marktwachstum in diesem Bereich. Darüber hinaus trägt das Vorhandensein bedeutender Hersteller in dieser Region zur Unterstützung des Marktwachstums durch technologische Verbesserungen bei.

Der Asien-Pazifik hingegen wird während der Prognosezeit am schnellsten wachsen. Diese Expansion kann durch den Ausbau der Verbrauchselektronik und durch verstärkte Investitionen nach Ländern wie China, Indien, Japan und Südkorea erfolgen.

Liste der Key Market Players

• Genüge
• Mitsubishi Electric
• Fujian
• TOSHIBA
• Infineon
• Renesas Electronics
• Kreide
• Qorvo
• Mikrosemi
• Wer ist da?
• Lake Shore Cryotronics
• ST Mikroelektronik
• Instrumente in Texas
• Oki elektrisch

Schlüsselmarktentwicklungen

• Am 20. Mai 2023 Infineon Technologies Die CoolGaNTM 600 V Hybrid-Drain-embedded Gate-Injektionstransistor (HD-GIT)-Technologie hat die AG erfolgreich in ihre eigene Fertigung integriert. Das Unternehmen veröffentlicht nun das komplette Portfolio seiner hochwertigen GaN-Geräte auf den breiteren Markt. Das erweiterte GaN-Portfolio von Infineon umfasst unter Ausnutzung der vollständig im Besitz befindlichen und kontrollierten Lieferkette ein breites Spektrum an diskreten und vollintegrierten GaN-Geräten, die die Anforderungen an die Lebensdauer von JEDEC weit übertreffen. Die neuen CoolGaN-Geräte wurden für verschiedene Anwendungen optimiert: von industriellen SMPS für Server, Telekommunikation und Solar bis hin zu Verbraucheranwendungen, wie Ladegeräte und Adapter, Motorantriebe, TV/Monitor und LED-Beleuchtungssysteme.

• Im März 2022, Teledyne e2v HiRel hat neue platzgeschirmte Versionen seiner beliebten 650 V, 60 Ein hoher Zuverlässigkeit Galliumnitrid hohe Elektronenmobilität Transistoren (GaN HEMTs) eingeführt. GaN HEMTs von Teledyne e2v HiRel enthält eine Einzelwafer-Lot-Nachweisbarkeit, eine erhöhte Temperatur-Leistungsspanne von 55 bis +125 °C und eine geringe Induktivität, niedrige Wärmebeständigkeit Verpackung.

• Im September 2022, Taiwans Industrial Technology Research Institute (ITRI) und Oxford Instruments haben neue technologische Fortschritte angekündigt, die kritische Hyperwachstumsbereiche wie Elektrofahrzeuge, Rechenzentren und 5G unterstützen würden. Ein versenkter und abgeschirmter Gate-Übergang innerhalb der Aluminium-Galliumnitrid-Schicht (AlGaN) definiert die neue GaN MISHEMT High-Elektron-Mobility-Transistor (HEMT) Gerätearchitektur. Im Vergleich zu herkömmlichen Geräten ermöglicht die Entdeckung, dass wesentliche Transistorkomponenten bei größeren Spannungen funktionieren, die Leistung und Zuverlässigkeit erhöhen und gleichzeitig einen sicheren und energieeffizienteren (in der Regel abgeschalteten "E-Mode"-Betrieb erreichen.

• Im Juni 2021, ST Microelectronics präsentierte eine neue Serie von GaN-Teilen namens STi2GaN, die für ST Intelligent und Integrated GaN steht. Um Haltbarkeit und Zuverlässigkeit zu gewährleisten, verwenden die Teile die Bond-Wire-freie Verpackungstechnologie von ST. Die neue Produktreihe versucht GaNs ausgezeichnete Leistungsdichte und Effizienz zu nutzen, um eine Reihe von 100-V und 650-V High-Elektron-Mobility-Transistoren (HEMT)-Geräten bereitzustellen.

Marktsegment

Diese Studie prognostiziert Einnahmen auf globaler, regionaler und nationaler Ebene von 2020 bis 2032. Spherical Insights hat den Global High Electron Mobility Transistor Market auf Basis der unten genannten Segmente segmentiert:

High Electron Mobility Transistor Market, Typanalyse

• Gallium Nitride (GaN)
• Siliciumcarbid (SiC)
• Gallium Arsenide (GaAs)
• Sonstige

High Electron Mobility Transistor Market, End-User-Analyse

• Verbraucherelektronik
• Automobilindustrie
• Industrie
• Luft- und Raumfahrt
• Sonstige

High Electron Mobility Transistor Market, Regionale Analyse

• Nordamerika
  • USA
  • Kanada
  • Mexiko
• Europa
  • Deutschland
  • Uk
  • Frankreich
  • Italien
  • Spanien
  • Russland
  • Rest Europas
• Asia Pacific
  • China
  • Japan
  • Indien
  • Südkorea
  • Australien
  • Rest von Asia Pacific
• Südamerika
  • Brasilien
  • Argentinien
  • Rest Südamerikas
• Naher Osten und Afrika
  • VAE
  • Saudi Arabien
  • Katar
  • Südafrika
  • Rest des Nahen Ostens & Afrika