Globale Marktgröße, Marktanteil und COVID-19-Auswirkungsanalyse für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate [IGBT], nach Typ (diskrete IGBT, Modul-IGBT), nach Nennleistung (hohe Leistung, mittlere Leistung, niedrige Leistung), nach Anwendung (Unterhaltungselektronik, Energie und Strom, industrielle Fertigung, Automobil (EV/HEV), Wechselrichter/USV, Eisenbahnen, erneuerbare Energien, andere), nach Region (Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Lateinamerika, Naher Osten und Afrika), Analyse und Prognose 2021 - 2030

Der globale Markt für IGBT-Transistoren (Insulated Gate Bipolar Transistor) wird bis 2030 ein Volumen von 10 Milliarden US-Dollar erreichen

Laut einem von Spherical Insights & Consulting veröffentlichten Forschungsbericht soll der globale Markt für IGBT-Transistoren (Insulated Gate Bipolar Transistor) von 5 Milliarden USD im Jahr 2021 auf 10 Milliarden USD im Jahr 2030 wachsen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 9 % während des Prognosezeitraums entspricht. Der wichtigste treibende Faktor ist die zunehmende Einführung von IGBT-Transistoren (Insulated Gate Bipolar Transistor) in verschiedenen Branchen wie Automobil, Unterhaltungselektronik, Industrie, IT und Telekommunikation, Gesundheitswesen, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung und anderen.

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Leistungsmodule mit isoliertem Gate-Bipolartransistor fungieren aufgrund ihrer hohen Schaltfrequenz als spannungsgesteuerte Leistungselektronikgeräte und werden häufig in der Hochspannungsindustrie eingesetzt, in der ein geringerer Leitungsverlust erforderlich ist. Das Wachstum auf dem Weltmarkt wird hauptsächlich durch die steigende Nachfrage nach isolierten Gate-Bipolartransistoren [IGBT] aus verschiedenen Anwendungen angetrieben, darunter Eisenbahnen, medizinische Geräte, Unterhaltungselektronik, Energie und Strom, Industriesysteme, Elektrofahrzeuge, USV, Wechselrichter und Motorantriebe. Die zunehmende Einführung von Technologien, wie z. B. das Wachstum von Elektroautos und Hybridfahrzeugen, verwendet IGBT-Module, da für den Einsatz von Elektrofahrzeugen und Hybridelektrofahrzeugen ein höheres Maß an Konsistenz erforderlich ist als für allgemeine kommerzielle Zwecke. Laut Edison Electric Institute (EEI) stiegen die Gesamtverkäufe von Elektrofahrzeugen im Jahr 2021 im Vergleich zu 2020 um 35 %. Der Anstieg des Marktes für Elektro- und Hybridelektrofahrzeuge wird voraussichtlich den Markt für isolierte Gate-Bipolartransistoren [IGBT] im Prognosezeitraum ankurbeln. Darüber hinaus wird der Insulated-Gate-Bipolar-Transistor (IGBT) in großem Maßstab in erneuerbaren Energiesystemen wie Photovoltaikanlagen, Wasserkraftwerken und Windturbinen eingesetzt.

Im diskreten IGBT-Segment wird im Prognosezeitraum voraussichtlich eine höhere Wachstumsrate erwartet.

Basierend auf dem Typ ist der globale Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate [IGBT] in diskrete IGBTs und IGBT-Module unterteilt. Darunter wird das diskrete IGBT-Segment im Prognosezeitraum voraussichtlich eine höhere Wachstumsrate aufweisen. Dies ist auf die Vorteile diskreter IGBTs zurückzuführen: hohe Stromdichte und geringe Verlustleistung, was zu höherer Effizienz und kleinerem Kühlkörper führt, was geringere Gesamtsystemkosten ermöglicht.

Im Segment mit hoher Nennleistung wird im Prognosezeitraum ein signifikantes durchschnittliches jährliches Wachstum (CAGR) erwartet.

Auf der Grundlage der Nennleistung wird der globale Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate [IGBT] in die Segmente hohe Leistung, mittlere Leistung und niedrige Leistung unterteilt. Unter diesen wird für das Segment hohe Leistung im Prognosezeitraum ein signifikantes CAGR-Wachstum erwartet. In Anwendungen bietet ein IGBT mit hoher Leistung die Strombelastbarkeit, Gate-Steuerung über Spannung und mehr. Der Markt für hohe Leistungen wird voraussichtlich exponentiell wachsen, da er in mehreren Branchen wie der Automobilindustrie (EV/HEV), Wechselrichtern/USV, der Eisenbahn und erneuerbaren Energien immer häufiger zum Einsatz kommt.

Das Automobilsegment (EV/HEV) dürfte im Prognosezeitraum den höchsten Umsatz erzielen.

Basierend auf dem Typ ist der globale Markt für Bipolartransistoren mit isolierter Gateelektrode [IGBT] in die Bereiche Unterhaltungselektronik, Energie und Strom, industrielle Fertigung, Automobil (EV/HEV), Wechselrichter/USV, Eisenbahn, erneuerbare Energien und andere unterteilt. Unter diesen wird erwartet, dass das Segment Leistungselektronik im Prognosezeitraum aufgrund reduzierter CO2-Emissionsvorschriften eine höhere Wachstumsrate verzeichnen wird. Der Automobilmarkt bewegt sich in Richtung Elektrifizierung von Antriebssträngen in Elektro- und Hybridfahrzeugen (EV/HEV), bei denen Leitungs- und Schaltverluste erheblich verringert werden, was sich direkt auf die Gesamteffizienz auswirkt.

Der asiatisch-pazifische Raum dominiert den Markt mit dem größten Marktanteil von 53 %.

Der asiatisch-pazifische Raum dominiert den Markt mit dem größten Marktanteil von 53 %. Dieses Wachstum im asiatisch-pazifischen Raum ist in erster Linie auf die steigenden EV- und BEV-Verkäufe, die Ladeinfrastruktur und den größten Hersteller elektronischer Komponenten zurückzuführen. Die zunehmende Einführung des industriellen IoT und der Fabrikautomatisierung in der Fertigung dürfte die Nachfrage nach Bipolartransistoren mit isoliertem Gate ankurbeln. Nordamerika dürfte im Prognosezeitraum am schnellsten wachsen. Ebenso wird erwartet, dass Europa nach dem asiatisch-pazifischen Raum die Marktdominanz erlangen wird. Europa ist die erste Region, die in der Transportkategorie Traktionssysteme mit Bipolartransistoren mit isoliertem Gate [IGBT] in den Schienen einführt.

Jüngste Entwicklung

• Im Juli 2020  entwickelte die Toshiba Corporation ein kompaktes Modell für Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) und Injection Enhanced Gate Transistors (IEGT) zur präzisen Schätzung von Rauschen und Leistungsverlust durch elektromagnetische Störungen. Dieses Modul reduziert die Simulationszeit und Fehlerrate um 95 %.

• Im April 2021  brachte Infineon Technologies AG die 650 V Cool SiC Hybrid IGBT-Reihe auf den Markt, die eine Sperrspannung von 650 V bietet. Die Hybrid-IGBT-Reihe kombiniert die Vorteile von Technologien wie Schottky-Barriere-Cool-SiC-Dioden und 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT.

Marktsegment

Diese Studie prognostiziert den Umsatz auf globaler, regionaler und Länderebene von 2019 bis 2030. Spherical Insights hat den globalen Markt für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode [IGBT] anhand der unten genannten Segmente segmentiert:

Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate [IGBT], nach Typ

• Diskreter IGBT
• Modul IGBT

Markt für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode [IGBT], nach Nennleistung

• Hohe Leistung
• Mittlere Leistung
• Geringer Stromverbrauch

Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate [IGBT], nach Anwendung

• Unterhaltungselektronik
• Energie & Strom
• Industrielle Fertigung
• Automobil (EV/HEV)
• Wechselrichter/USV
• Eisenbahnen
• Erneuerbare Energien
• Sonstiges

Markt für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode [IGBT], regionale Analyse

• Nordamerika
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